自己バンドギャップ変調を持つ接合ナノワイヤ構造体の高速形成

独立行政法人物質・材料研究機構（理事長：潮田 資勝）国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の深田 直樹 グループリーダーらは、テーパー構造を有し、内部にpn接合を持ったシリコンからなる新しいナノ構造を高速形成する成長技術を開発しました。

その構造によって、pn接合を平面構造に比べ実効的に100倍にすることも可能であります。

pn接合を内部に形成したテーパー構造を有するシリコンナノワイヤを太陽電池に採用することで、太陽電池の高効率化につながる可能性があります。また、シリコンの消費量の低減にも役立ち、コスト削減も期待できます。